Toshiba
Corporation
(TOKYO : 6502) Semiconductor & Storage Products Company
a annoncé aujourd?hui l?élargissement de sa ligne de diodes à barrière
de Schottky (SBD) 650 V en carbone de silicone (SiC), avec l?ajout de
produits au boîtier isolé TO-220F-2L package. Les 4 nouveaux produits
étendent la gamme 6A, 8A, 10A et 12A des produits actuels à boîtier
TO-220-2L. La production en volume commence dès aujourd?hui.

Toshiba: 650V SiC Schottky Barrier Diode in an Insulated TO-220F-2L Package (Photo: Business Wire)

Toshiba: 650V SiC Schottky Barrier Diode in an Insulated TO-220F-2L Package (Photo: Business Wire)

Les SBD sont adaptés aux applications incluant l?alimentation des
serveurs informatiques et les conditionneurs d?énergie pour les systèmes
de génération électrique photovoltaïques. Les SBD peuvent également
servir pour remplacer les diodes silicones dans les alimentations
électriques à commutation, pour lesquelles elles sont 50 % plus
efficaces (d’après une enquête de Toshiba).

Les appareils électriques SiC offrent un fonctionnement plus stable que
les appareils en silicone actuels – même à des hautes tensions et à des
courants élevés – dans la mesure où ils réduisent de manière
significative la dissipation de chaleur au cours du fonctionnement. Ils
répondent à différents besoins de l’industrie en matière d?appareils de
communications plus efficaces et plus petits ainsi qu?en matière
d?applications industrielles de suite, allant des serveurs aux
inverseurs.

Caractéristiques principales des nouveaux produits :

Numéro de pièce

VRRM
(V)

IF
(A)

VF (V) IRRM (?A) Boîtier
typ./max typ./max
TRS6A65C 650 6 1,5 / 1,7 0,3 / 90 TO-220F-2L
TRS8A65C 650 8 1,5 / 1,7 0,4 / 90
TRS10A65C 650 10 1,5 / 1,7 0,42 / 90
TRS12A65C 650 12 1,54 / 1,7 0,45 / 90

Gamme actuelle

Numéro de pièce

VRRM
(V)

IF
(A)

VF (V) IRRM (?A) Boîtier
typ./max. typ./max.
TRS6E65C 650 6 1,5 / 1,7 0,3 / 90 TO-220-2L
TRS8E65C 650 8 1,5 / 1,7 0,44 / 90
TRS10E65C 650 10 1,5 / 1,7 0,42 / 90
TRS12E65C 650 12 1,54 / 1,7 0,45 / 90
TRS12N65C 650 12 1,5 / 1,7 0,3 / 90 TO-247
TRS16N65C 650 16 1,5 / 1,7 0,4 / 90
TRS20N65C 650 20 1,5 / 1,7 0,42 / 90
TRS24N65C 650 24 1,5 / 1,7 0,43 / 90

Suivez ce lien pour plus d?informations sur les diodes à barrière de
Schottky Toshiba SiC.
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/diode/sic/index.html

Renseignements clientèle :
Département du marketing et des
ventes de dispositifs d?alimentation
Tél : +81-3-3457-3416

Les informations contenues dans le présent document, y compris les prix,
les caractéristiques des produits, le contenu des services et les
coordonnées, sont valables à la date du présent communiqué, mais peuvent
être sujettes à des modifications sans préavis.

À propos de Toshiba

Toshiba est l?un des principaux fabricants de produits diversifiés au
monde qui propose des solutions et commercialise des produits et des
systèmes électroniques et électriques de pointe. Le groupe Toshiba
apporte innovation et imagination sur un large éventail d?activités :
produits numériques, notamment téléviseurs LCD, PC portables, solutions
de vente au détail et produits multifonctions ; dispositifs
électroniques, parmi lesquels les semi-conducteurs, les produits et le
matériel de stockage ; systèmes d?infrastructure industrielle et sociale
dont les systèmes de production d?électricité, les solutions
communautaires intelligentes, les systèmes médicaux, les escaliers
mécaniques, les ascenseurs ; et appareils ménagers.

La société Toshiba a été fondée en 1875 et exploite aujourd?hui un
réseau mondial de plus de 590 entreprises consolidées, avec
206 000 employés dans le monde et un chiffre d?affaires annuel dépassant
les 5,8 billions de yens (61 milliards USD). Consultez le site Web de
Toshiba à l?adresse www.toshiba.co.jp/index.htm

Le texte du communiqué issu d?une traduction ne doit d?aucune manière
être considéré comme officiel. La seule version du communiqué qui fasse
foi est celle du communiqué dans sa langue d?origine. La traduction
devra toujours être confrontée au texte source, qui fera jurisprudence.

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Toshiba étend sa gamme de diodes à barrière de Schottky 650 V SiC