GT Advanced Technologies et Soitec signent un accord de développement et de licence en vue de développer et commercialiser un équipement d'épitaxie en phase vapeur à base d'hydrures (HVPE) pour produire des couches épitaxiées en nitrure de gallium à moindre coût

Cet équipement d'HVPE devrait abaisser le coût de production des diodes électroluminescentes et en accélérer l'adoption dans les systèmes d'éclairage public et résidentiel

Nashua, New Hampshire, et Bernin, France — le 25 février 2013— GT Advanced Technologies (NASDAQ: GTAT) et Soitec (NYSE Euronext: SOI) annoncent la signature d'un accord de développement et de licence qui permettra à GT Advanced Technologies de développer et commercialiser un équipement d'épitaxie en phase vapeur à base d'hydrures de Gallium (HVPE). Cet équipement permettra de produire des couches épitaxiées en nitrure de gallium (GaN) sur des substrats de saphir qui seront utilisées dans la fabrication des diodes électroluminescentes (LED) et dans d'autres applications industrielles en plein essor, telles que dans l'électronique de puissance.
La grande vitesse de croissance cristalline du GaN et l'amélioration des propriétés du matériau rendues possibles par cette technologie d'HVPE devraient entraîner une baisse considérable des coûts de ces films tout en boostant les performances des LEDs ainsi produites en particulier par rapport à la filière MOCVD (épitaxie par dépôt chimique en phase vapeur à base de précurseurs organométalliques) plus traditionnelle. Le prépaiement initial des droits de licence prévus par l'accord est déjà en cours, mais les autres conditions particulières à cet accord n'ont pas été dévoilées.

GT développera, fabriquera et commercialisera cet équipement d'HVPE en y incorporant les éléments technologiques particuliers et originaux développés par Soitec Phoenix Labs (filiale de Soitec), et notamment un système unique d'injection de la source de Gallium, qui devrait notamment abaisser le coût des précurseurs ainsi fournis au réacteur d'HVPE. Cet équipement d'HVPE permettra de produire à grande échelle des couches de nitrure de gallium (GaN) sur saphir. La disponibilité commerciale de cet équipement est prévue au deuxième semestre 2014.

« Nous travaillons depuis plus de six ans sur les technologies d'épitaxie de couches de nitrure de gallium et nous avons créé cette technologie révolutionnaire d'HVPE qui va être essentielle dans la production de couches de GaN à moindre coût et de haute qualité sur des substrats de saphir », a déclaré Chantal Arena, directrice générale de Soitec Phoenix Labs. « L'accord de développement et de licence que nous annonçons aujourd'hui avec GT constitue la validation ultime de ces travaux et vient compléter l'accord conclu l'année dernière avec Silian, qui intégrera cette technologie HVPE sur leurs substrats de saphir.
Cela permet à Soitec de structurer son offre éclairage-LEDs autour de technologies différenciées et de partenaires industriels, incluant matériaux et équipements. Le savoir-faire étendu de Soitec Phoenix Labs dans le domaine des technologies d'épitaxie et du matériau GaN sera essentiel et critique pour aider GT à commercialiser cet équipement d'HVPE unique au monde. »
 

« GT a enregistré de nombreux succès en proposant des équipements innovants qui ont transformé l'industrie du solaire photovoltaïque et des LEDs », a déclaré Tom Gutierrez, président et CEO de GT. « Notre décision de conclure cet accord avec Soitec marque l'aboutissement d'une quête rigoureuse du bon partenaire et de la bonne technologie pour compléter notre activité dans le domaine des équipements, afin de diversifier nos activités vers de nouvelles technologies à forte valeur ajoutée, d'élargir notre rayon d'action et de proposer aux marchés des solutions gagnantes.
Soitec Phoenix Labs nous apporte un haut niveau d'expertise et de savoir faire technologique dans le domaine de la production de couches de GaN. Lorsqu'il sera disponible commercialement, nous sommes convaincus que ce nouvel équipement d'HVPE sera un élément clé dans la réduction du coût des LEDs et qu'il permettra à cette industrie d'atteindre de plus hauts niveaux de compétitivité et de croissance. »
 

À propos de Soitec

Soitec (Euronext Paris) est une entreprise industrielle internationale dont le cœur de métier est la génération et la production de matériaux semi-conducteurs d'extrêmes performances. Ses produits, des substrats pour circuits intégrés (notamment à base de SOI – Silicium On Insulator) et des systèmes photovoltaïques à concentration (CPV), ses technologies Smart Cut™, Smart Stacking™ et Concentrix™ ainsi que son expertise en épitaxie en font un leader mondial. Soitec relève les défis de performance et d'efficacité énergétique pour une large palette d'applications destinées aux marchés de l'informatique, des télécommunications,
de l'électronique automobile, de l'éclairage et des centrales solaires à forte capacité. Soitec a aujourd'hui des implantations industrielles et des centres de R&D en France, à Singapour, en Allemagne et aux Etats-Unis. Des informations complémentaires sont disponibles sur le site Internet www.soitec.com

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GT Advanced Technologies Inc est une société aux technologies diversifiées proposant des équipements de croissance cristalline et des solutions innovantes pour l'industrie globale du solaire, des LEDs et de l'électronique. Nos produits accélèrent l'adoption de nouveaux matériaux qui améliorent les performances des dispositifs et en réduisent les coûts de fabrication. Pour plus d'informations à propos de GT Advanced Technologies, visitez www.gtat.com
 

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